| Nr. |
Bezeichnung |
Hersteller/Land |
Anzahl |
Bemerkung |
| 534 |
TD 511 M |
HFO / DDR / Bauform |
81 |
|
| 533 |
T 9 589 P |
HFO / DDR / Bauform |
28 |
|
| 532 |
T 8 8589 B |
HFO / DDR / Bauform |
40 |
|
| 531 |
T 8 589 M |
HFO / DDR / Bauform |
64 |
|
| 530 |
T 4 589 P |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
| 529 |
T 1 589 / M |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
| 528 |
SSY 20 B-K |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
9 |
|
| 527 |
SSY 20 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
69 |
Schalttransistor in der EDV |
| 526 |
SSY 20 A |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
89 |
Schalttransistor in der EDV |
| 525 |
SSY 20 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
8 |
Schalttransistor in der EDV |
| 524 |
SSE 219 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und SMD-Technik |
| 522 |
SSE 202 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
| 521 |
SSE 201 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
| 520 |
SSE 200 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
| 519 |
SS 237 E |
HFO / DDR / Bauform |
29 |
|
| 518 |
SS 219 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
289 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 517 |
SS 219 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
590 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 516 |
SS 219 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
901 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 515 |
SS 218 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
915 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 514 |
SS 218 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
98 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 513 |
SS 218 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
27 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 512 |
SS 218 A |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
80 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 511 |
SS 216 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1347 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 510 |
SS 216 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1554 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 509 |
SS 216 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
165 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 508 |
SS 216 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
227 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
| 507 |
SS 209 D |
RWN / DDR / Bauform 3 |
2 |
|
| 506 |
SS 202 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
570 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
| 505 |
SS 201 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
240 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
| 504 |
SS 200 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
619 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
| 503 |
SS 126 C |
HFO / DDR / Bauform 1 |
28 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
| 502 |
SS 126 B |
HFO / DDR / Bauform 1 |
15 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
| 501 |
SS 125 C |
HFO / DDR / Bauform 1 |
4 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
| 500 |
SS 125 B |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
| 499 |
SS 120 A |
HFO / DDR / Bauform |
10 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
| 498 |
SS 109 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
49 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 497 |
SS 109 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
130 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 496 |
SS 109 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
146 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 495 |
SS 108 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
41 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 494 |
SS 108 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
104 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 493 |
SS 108 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
27 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 492 |
SS 108 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
9 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 491 |
SS 106 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
352 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 490 |
SS 106 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1121 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 489 |
SS 106 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
3 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 488 |
SS 106 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
| 487 |
SS 102 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
6 |
NF - Transistor |
| 486 |
SS 101 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
NF - Transistor |
| 485 |
SMY 62 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
30 |
für Einsatz in analogen Schaltungen |
| 484 |
SMY 61 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
0 |
für Einsatz in analogen Schaltungen |
| 483 |
SMY 60 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
43 |
Dual Silizium P-Kanal-Anreicherungstyp MOS-FET, |
| 482 |
GC 116 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
61 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 481 |
GF 505 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
| 480 |
SMY 52 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
166 |
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)/Anschlussfolge DSbG; |
| 479 |
SMY 51 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
55 |
MOS-Feldeffekttransistor / Doppeltransistor = 2 x SMY50; |
| 478 |
SMY 50 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
101 |
Silizium P-Kanal-Anreicherungstyp MOS-FET mit Schutzdiode; |
| 477 |
SMY 2 |
HFO / DDR / Bauform |
50 |
|
| 476 |
SME 996 |
FWE / DDR / Bauform / UHF |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |
| 475 |
SME 994 |
FWE / DDR / Bauform / VHF |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |
| 474 |
SME 992 |
FWE / DDR / Bauform / UKW |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |
| 473 |
SM 200 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
13 |
HF-Verstärkerschaltungen im VHF-Bereich; Si n-MOSFET |
| 472 |
SM 104 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
8 |
Si-MOS-Feldeffekt-Transistor |
| 471 |
SM 103 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
23 |
Si-MOS-Feldeffekt-Transistor |
| 470 |
SL 114 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
| 469 |
SL 113 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
| 468 |
SL 112 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
| 467 |
SFT 308 |
HFO / DDR / Bauform 4 |
1 |
|
| 466 |
SFE 245 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für verkappte Hybritschaltkreise |
| 465 |
SFE 235 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für verkappte Hybritschaltkreise |
| 464 |
SFE 225 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-HF-Transistoren |
| 463 |
SF 829 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
435 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 462 |
SF 829 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
96 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 461 |
SF 829 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
34 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 460 |
SF 828 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
156 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 459 |
SF 828 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
175 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 458 |
SF 828 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1148 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 457 |
SF 828 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
145 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 456 |
SF 827 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
91 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 455 |
SF 827 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
182 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 454 |
SF 827 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
166 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 453 |
SF 827 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
53 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 452 |
SF 827 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
7 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 451 |
SF 826 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
162 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 450 |
SF 826 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
218 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 449 |
SF 826 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
50 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 448 |
SF 826 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
33 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 447 |
SF 826 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1200 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 446 |
SF 819 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
252 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 445 |
SF 819 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
119 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 444 |
SF 819 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
419 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 443 |
SF 818 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
133 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 442 |
SF 818 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1353 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 441 |
SF 818 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
185 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 440 |
SF 818 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
29 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 439 |
SF 817 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
28 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 438 |
SF 817 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
407 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 437 |
SF 817 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
255 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 436 |
SF 817 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
54 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 435 |
SF 816 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
70 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 434 |
SF 816 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1037 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 433 |
SF 816 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
41 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 432 |
SF 816 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
51 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 431 |
SF 369 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
63 |
Videoendstufen in Fernsehempfängern |
| 430 |
SF 368 |
RWN / DDR / Bauform 6 |
1 |
Videoendstufen in Fernsehempfängern |
| 429 |
SF 359 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
120 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
| 428 |
SF 358 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
31 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
| 427 |
SF 357 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
73 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
| 426 |
SF 245 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
100 |
nicht geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
| 425 |
SF 245 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
188 |
nicht geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
| 424 |
SF 240 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
458 |
für geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
| 423 |
SF 235 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
832 |
HF-Verstärker / Oszillatoren bis 260 MHz |
| 422 |
SF 225 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
2437 |
HF Verstärker LMK-Vorstufen und ZF Stufen |
| 421 |
SF 222 C |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
|
| 420 |
SF 216 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
21 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 419 |
SF 216 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
35 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 418 |
SF 216 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
619 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 417 |
SF 216 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
190 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 416 |
SF 216 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
62 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 415 |
SF 215 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 414 |
SF 215 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
2 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 413 |
SF 215 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
605 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 412 |
SF 215 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
580 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
| 411 |
SF 158 |
HFO / DDR / Bauform |
22 |
|
| 410 |
SF 150 C |
HFO / DDR / Bauform npn-Si-P |
16 |
für Video-Endstufen |
| 409 |
SF 150 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 Si-npn |
2693 |
für Video-Endstufen |
| 408 |
SF 145 |
HFO / DDR / Bauform |
11 |
für HF - Verstärkung |
| 407 |
SF 140 |
HFO / DDR / Bauform TO-5 |
5 |
für HF - Verstärkung / 350MHz / 40V/25mA |
| 406 |
SF 138 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für HF - Verstärkung |
| 405 |
SF 137 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
282 |
für HF - Verstärkung |
| 404 |
SF 137 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
2691 |
für HF - Verstärkung |
| 403 |
SF 137 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
156 |
für HF - Verstärkung |
| 402 |
SF 137 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
89 |
für HF - Verstärkung |
| 401 |
SF 137 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
7 |
für HF - Verstärkung |
| 400 |
SF 136 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
12 |
für HF - Verstärkung |
| 399 |
SF 136 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
114 |
für HF - Verstärkung |
| 398 |
SF 136 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
668 |
für HF - Verstärkung |
| 397 |
SF 136 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
30 |
für HF - Verstärkung |
| 396 |
SF 136 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
6 |
für HF - Verstärkung |
| 395 |
SF 132 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 394 |
SF 132 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
22 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 393 |
SF 132 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
18 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 392 |
SF 132 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 391 |
SF 131 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 390 |
SF 131 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
71 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 389 |
SF 131 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
22 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 388 |
SF 131 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
| 387 |
SF 131 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
7 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 386 |
SF 129 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
1 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 385 |
SF 129 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
394 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 384 |
SF 129 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
436 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 383 |
SF 129 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
223 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 382 |
SF 129 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
4 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
| 381 |
SF 128 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
202 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 380 |
SF 128 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
294 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 379 |
SF 128 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
256 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 378 |
SF 128 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
81 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 377 |
SF 128 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
66 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 376 |
SF 127 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
100 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 375 |
SF 127 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
157 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 374 |
SF 127 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
366 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 373 |
SF 127 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
44 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 372 |
SF 127 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
2 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 371 |
SF 126 F |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
2 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 370 |
SF 126 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
503 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 369 |
SF 126 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
475 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 368 |
SF 126 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
716 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 367 |
SF 126 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
1281 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 366 |
SF 126 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
0 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
| 365 |
SF 123 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
4 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 364 |
SF 123 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
31 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 363 |
SF 123 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
99 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 362 |
SF 123 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
8 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 361 |
SF 123 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
3 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 360 |
SF 122 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
2 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 359 |
SF 122 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
16 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 358 |
SF 122 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
25 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 357 |
SF 122 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
1 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 356 |
SF 122 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
2 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 355 |
SF 121 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
154 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 354 |
SF 121 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
5 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 353 |
SF 121 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
6 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 352 |
SF 121 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
10 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 351 |
SF 121 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
42 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
| 350 |
SF 119 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
314 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 349 |
SF 119 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
63 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 348 |
SF 119 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
5 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 347 |
SF 118 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
10 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 346 |
SF 118 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
222 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 345 |
SF 118 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
14 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 344 |
SF 118 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
3660 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 343 |
SF 117 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
76 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 342 |
SF 117 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
89 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 341 |
SF 117 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
1 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 340 |
SF 116 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
84 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 339 |
SF 116 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
19 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 338 |
SF 116 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
30 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 337 |
SF 116 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
6 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 336 |
SF 116 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
2 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 335 |
SF 114 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 334 |
SF 113 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 333 |
SF 112 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 332 |
SF 111 |
IHT / DDR / Bauform |
1 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
| 331 |
SF 025 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 330 |
SF 024 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 329 |
SF 023 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 328 |
SF 022 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 327 |
SF 021 B |
HFO / DDR / Bauform 1 |
1 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 326 |
SF 021 A |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 325 |
SF 021 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
| 324 |
SF 018 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
271 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
| 323 |
SF 016 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
85 |
Breitbandverstärker / mittelschneller Schalter |
| 322 |
SCE 540 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 321 |
SCE 539 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 320 |
SCE 538 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 319 |
SCE 537 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 318 |
SCE 536 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 317 |
SCE 535 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 316 |
SCE 309 d |
RWN / DDR / Bauform 3 |
50 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 315 |
SCE 308 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 314 |
SCE 307 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 313 |
SCE 239 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 312 |
SCE 238 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 311 |
SCE 237 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
| 310 |
SC 310 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
6 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 309 |
SC 309 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
369 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
| 308 |
SC 309 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
919 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
| 307 |
SC 309 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
| 306 |
SC 309 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
5 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
| 305 |
SC 308 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
386 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 304 |
SC 308 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2306 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 303 |
SC 308 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
38 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 302 |
SC 308 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
20 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 301 |
SC 307 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
413 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 300 |
SC 307 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2374 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 299 |
SC 307 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
946 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 298 |
SC 307 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
7 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 297 |
SC 239 F |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
410 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
| 296 |
SC 239 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
987 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
| 295 |
SC 239 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1611 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
| 294 |
SC 239 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
26 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
| 293 |
SC 238 F |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
309 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 292 |
SC 238 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
562 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 291 |
SC 238 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
494 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 290 |
SC 238 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
174 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 289 |
SC 238 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
0 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 288 |
SC 237 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
576 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 287 |
SC 237 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1295 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 286 |
SC 237 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
733 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 285 |
SC 237 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
10 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 284 |
SC 237 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 283 |
SC 236 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
514 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 282 |
SC 236 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1369 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 281 |
SC 236 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
566 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
| 280 |
SC 208 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
| 279 |
SC 207 F |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
37 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
| 278 |
SC 207 E / S |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
20 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
| 277 |
SC 207 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
123 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
| 276 |
SC 207 D / S |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
10 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 275 |
SC 207 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
83 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 274 |
SC 207 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
164 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 273 |
SC 207 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
55 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 272 |
SC 206 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
178 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 271 |
SC 206 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
108 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
| 270 |
SC 206 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
92 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
| 269 |
SC 206 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
3036 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
| 268 |
SC 206 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
32 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
| 267 |
SC 205 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
| 266 |
SC 119 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
127 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 265 |
SC 119 C |
HFO / DDR / Bauform 2 |
42 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 264 |
SC 118 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
11 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 263 |
SC 117 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 262 |
SC 116 E |
HFO / DDR / Bauform 2 |
4 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 261 |
SC 116 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 260 |
SC 113 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
6 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
| 259 |
SC 112 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor für rauscharme Vorstufen |
| 258 |
SC 111 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor für Vor-Uund Treiberstufen |
| 257 |
SC 110 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Transistor für universelle NF-Zwecke |
| 256 |
SC 109 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor |
| 255 |
SC 108 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
NF-Transistor |
| 254 |
SC 107 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor |
| 253 |
SC 106 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
31 |
NF-Transistor |
| 252 |
SC 104 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
5 |
NF-Transistor für allgemeine Anwendung |
| 251 |
SC 103 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
7 |
Si-NF-Transistor für allgemeine Anwendung |
| 250 |
SC 100 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Si-NF-Transistor mit kleiner Sperrspannung |
| 249 |
S 4 SY 20 B |
HFO / DDR / Bauform |
520 |
|
| 248 |
S 4 F 137 C |
HFO / DDR / Bauform |
61 |
|
| 247 |
S 4 F 129 C |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
| 246 |
S 4 F 118 C |
HFO / DDR / Bauform |
8565 |
|
| 245 |
OC-HWF |
HFO / DDR / Bauform oval |
5 |
Bezeichnung nur HWF ohne Zahl |
| 244 |
OC 923 / SC103 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
|
| 243 |
OC 922 / SS102 |
IHT / DDR / Bauform |
1 |
NF - Transistor |
| 242 |
OC 921 / SS101 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
NF - Transistor |
| 241 |
OC 920 / SC100 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
Si-NF-Transistor mit kleiner Sperrspannung |
| 240 |
OC 884 / GF131 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für UKW-Mischstufen |
| 239 |
OC 883 / GF130 |
HFO / DDR Ge-pnp-Drifttrans. |
7 |
HF-Transistor für Mischstufen bis 100 MHz |
| 238 |
OC 882 A |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
7 |
HF Transistor für AM Bereich KW |
| 237 |
OC 882 / GF122 |
HFO / DDR Ge-pnp-Drifttrans. |
1 |
HF-Transistor für ZF-Stufen bei 10,7 MHz |
| 236 |
OC 881 / GF121 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
HF Transistor für AM Bereich KW |
| 235 |
OC 880 / GF120 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
HF Transistor für AM Bereich MW und LW |
| 234 |
OC 874 |
HFO / DDR / Bauform 13 |
0 |
Schalter mittlerer Geschwindigkeit |
| 233 |
OC 873 / GF110 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
36 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 232 |
OC 872 / GF105 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
24 |
Transistor für HF-Verstärker - bis 2 MHz |
| 231 |
OC 871 / GF100 |
WBN/ Institut für Halbleitertechnik |
0 |
produziert am 06.09.1960 in Teltow |
| 230 |
OC 871 / GF100 |
HWF / DDR / Bauform |
5 |
Transistor für AM-ZF-Verstärkerstufen |
| 229 |
OC 871 / GF100 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
23 |
Transistor für AM-ZF-Verstärkerstufen |
| 228 |
OC 870 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 227 |
OC 870 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 226 |
OC 870 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 225 |
OC 870 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 224 |
OC 870 / GC101 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
27 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 223 |
OC 870 / GC 100 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
5 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
| 222 |
OC 829 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Transistor für 60 V Schaltanwendungen |
| 221 |
OC 828 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
7 |
Transistor für 30 V- Schaltanwendungen |
| 220 |
OC 827 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
| 219 |
OC 827 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
| 218 |
OC 827 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
| 217 |
OC 827 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
| 216 |
OC 827 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
| 215 |
OC 826 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 214 |
OC 826 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 213 |
OC 826 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 212 |
OC 826 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 211 |
OC 826 - 2X |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 210 |
OC 826 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
10 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 209 |
OC 825 d/ Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 208 |
OC 825 c/Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 207 |
OC 825 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
3 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 206 |
OC 825 b /Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 205 |
OC 825 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
21 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 204 |
OC 825 a /Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 203 |
OC 825 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
2xPärchen |
| 202 |
OC 825 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
12 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 201 |
OC 825 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
| 200 |
OC 824 C |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
| 199 |
OC 824 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
13 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
| 198 |
OC 823/GC823 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
Transistor für 60 V Schaltanwendungen |
| 197 |
OC 822 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
25 |
Transistor für 30 V- Schaltanwendungen |
| 196 |
OC 821 / Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen mit 100 mw Ausgangsleistung |
| 195 |
OC 821 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
33 |
Für Endstufen mit 50mW Ausgangsleistung |
| 194 |
OC 820 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
| 193 |
OC 818 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
| 192 |
OC 818 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
| 191 |
OC 818 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
| 190 |
OC 818 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
| 189 |
OC 817/GC117 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 188 |
OC 817 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 187 |
OC 817 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 186 |
OC 817 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 185 |
OC 817 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 184 |
OC 816 K |
HWF / DDR / in Kühlkörper |
3 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 183 |
OC 816 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 182 |
OC 816 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 181 |
OC 816 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 180 |
OC 816 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 179 |
OC 816 - rund |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
9 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 178 |
OC 816 - oval |
WBN / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 177 |
OC 816 - oval |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
60 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 176 |
OC 816 |
IHT / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
| 175 |
OC 815 - rund |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Transistor für NF-Endstufen |
| 174 |
OC 815 - oval |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
Transistor für Vor- und Treiberstufen |
| 173 |
OC 814 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
| 172 |
OC 813 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
3 |
Transistor für NF-Vorstufen- hohe Anforder. |
| 171 |
OC 812 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
| 170 |
OC 811 |
WBN / HWF Ge-pnp-Flächentr. |
10 |
NF-Transistor für NF-Vorstufen |
| 169 |
OC 811 |
HWF / DDR / Ge-pnp-Flächentr. |
9 |
NF-Transistor für NF-Vorstufen |
| 168 |
OC 810 |
WBN / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
NF-Transistor für Vorstufen |
| 167 |
OC 810 |
HWF / DDR / Ge-pnp-Flächentr. |
3 |
Originalverpackt / |
| 166 |
LF 881 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
2 |
ZF-Stufen 10.7 MHz und HF |
| 165 |
LF 880 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
Mischstufen bis 8 MHz |
| 164 |
LF 871 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
ZF-Stufen für AM |
| 163 |
LD 835 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF - Leistungsstufen |
| 162 |
LD 830 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF - Leistungsstufen |
| 161 |
LC 824 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
4 |
NF-Vorstufen und NF Kleinleistung |
| 160 |
LC 815 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
13 |
NF-Vorstufen und NF Kleinleistung |
| 159 |
LC 810 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF-Vorstufen |
| 158 |
LA 100 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
10 |
Ge-Flächen-NF-Transistor,Vorstufen / Kleinleistung |
| 157 |
LA 50 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Transistor f. Vorstufen |
| 156 |
LA 30 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
1 |
Ge-Flächen-HF- und Audiostufen |
| 155 |
LA 25 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Transistor f. Vorstufen |
| 154 |
LA 4 |
HFO / DDR Lehr-u. Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Leistungstransistor |
| 153 |
LA 1 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Leistungstransistor |
| 152 |
HWF |
HFO / DDR / Bauform oval |
2 |
NF Bastlertype |
| 151 |
GSY 09 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
| 150 |
GS 502 |
OHNE Firma / DDR / Bauform |
1 |
|
| 149 |
GS 122 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 148 |
GS 122 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
1 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 147 |
GS 122 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
11 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 146 |
GS 121 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
43 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 145 |
GS 121 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
57 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 144 |
GS 121 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 143 |
GS 121 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
29 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
| 142 |
GS 112 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
12 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 141 |
GS 112 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
27 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 140 |
GS 112 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
33 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 139 |
GS 111 E |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 138 |
GS 111 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
25 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 137 |
GS 111 C |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
| 136 |
GS 111 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
| 135 |
GS 110 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
0 |
Schalter für mittlere Geschwindigkeiten |
| 134 |
GS 109 E |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
| 133 |
GS 109 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
19 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
| 132 |
GS 109 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
71 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
| 131 |
GS 109 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
50 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
| 130 |
GS 109 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
96 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
| 129 |
GS 105 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
1 |
|
| 128 |
GS 100 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-Schalter für mittlere Geschwindigkeiten |
| 127 |
GF 181 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
für UKW-Mischstufen |
| 126 |
GF 180 |
HFO / DDR Hochfrequenztransist |
0 |
für FM Stereo ZF Verstärker |
| 125 |
GF 147 / S |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor |
53 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 900 MHz |
| 124 |
GF 147 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor |
98 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 900 MHz |
| 123 |
GF 146 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor/BF 4 |
3 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 260 MHz |
| 122 |
GF 145 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor/BF 4 |
181 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 860 MHz |
| 121 |
GF 143 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
| 120 |
GF 142 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
| 119 |
GF 141 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
| 118 |
GF 140 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
| 117 |
GF 139 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für AM-ZF-Verstärker |
| 116 |
GF 139 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
10 |
für AM-ZF-Verstärker |
| 115 |
GF 132 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
13 |
für UKW-Vorstufen |
| 114 |
GF 132 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
29 |
für UKW-Vorstufen |
| 113 |
GF 131 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
20 |
für UKW-Mischstufen |
| 112 |
GF 130 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
44 |
für FM-ZF- Verstärker bis 10,7 MHz |
| 111 |
GF 129 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
7 |
AM - Mischer |
| 110 |
GF 128 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
für Video ZF-Verstärker bis 37 MHz |
| 109 |
GF 126 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für AM-ZF-Verstärker |
| 108 |
GF 126 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
6 |
für AM-ZF-Verstärker |
| 107 |
GF 125 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
FM - ZF Stufen |
| 106 |
GF 122 f |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
FM - ZF Stufen |
| 105 |
GF 122 b |
HFO / DDR / Bauform 7 |
15 |
FM - ZF Stufen |
| 104 |
GF 122 / OC 882 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
FM - ZF Stufen |
| 103 |
GF 121 c |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
| 102 |
GF 121 b |
HFO / DDR / Bauform 7 |
8 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
| 101 |
GF 121 / OC 881 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
28 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
| 100 |
GF 120 / OC 880 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
8 |
für Mittel-und Langwellenbereich bis 3 MHz |
| 99 |
GF 108 b |
HFO / DDR / Bauform 6 |
4 |
HF-Transistor-Breitbandverstärker |
| 98 |
GF 105 / OC 872 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
277 |
für AM-Misch-und Oszillatorstufen bis 2 MHz |
| 97 |
GF 100 / OC 871 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
151 |
für AM-ZF-Verstärker bis 470 KHz |
| 96 |
GC 301-Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
14 |
für hochwertige Gegentakt-B-Endstufen |
| 95 |
GC 301 T |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
3 |
3 Pärchen |
| 94 |
GC 301 E |
HFO / DDR / Bauform |
84 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 93 |
GC 301 d - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
9 |
für hochwertige Gegentakt-B-Endstufen |
| 92 |
SSE 216 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und SMD-Technik |
| 92 |
GC 301 D |
HFO / DDR / Bauform |
31 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 91 |
GC 301 c - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
14 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 90 |
GC 301 C |
HFO / DDR / Bauform |
40 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 89 |
GC 301 B - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
5 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 88 |
GC 301 B |
HFO / DDR / Bauform |
8 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 87 |
GC 301 A |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 86 |
GC 301 + |
HFO / DDR / Bauform |
21 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 85 |
GC 301 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
16 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 84 |
GC 300 D |
HFO / DDR / Bauform 3 |
1 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
| 83 |
GC 223 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Universal - Transistor |
| 82 |
GC 221 |
HFO / DDR / Bauform |
38 |
NF; Endstufe für Mikromudultechnik |
| 81 |
GC 217 |
HFO / DDR / Bauform |
12 |
NF, Treiber für Mikromudultechnik |
| 80 |
GC 216 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
1 |
NF Transistor |
| 79 |
GC 123 Paar |
HFO / DDR / Bauform 8 |
1 |
60 V - Schalttransistor |
| 78 |
GC 123 D |
HFO / DDR / Bauform 8 |
11 |
60 V - Schalttransistor |
| 77 |
GC 123 C |
HFO / DDR / Bauform 8 |
61 |
60 V - Schalttransistor |
| 76 |
GC 123 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
27 |
60 V - Schalttransistor |
| 75 |
GC 123 A |
HFO / DDR / Bauform 8 |
6 |
60 V - Schalttransistor |
| 74 |
GC 123 / 2 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
22 |
60 V - Schalttransistor |
| 73 |
GC 123 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
5 |
60 V - Schalttransistor |
| 72 |
GC 123 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
20 |
60 V - Schalttransistor |
| 71 |
GC 122 D |
HFO / DDR / Bauform |
23 |
30 V - Schalttransistor |
| 70 |
GC 122 C |
HFO / DDR / Bauform |
39 |
30 V - Schalttransistor |
| 69 |
GC 122 B |
HFO / DDR / Bauform |
34 |
30 V - Schalttransistor |
| 68 |
GC 122 A |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
30 V - Schalttransistor |
| 67 |
GC 122 / 2 |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
30 V - Schalttransistor |
| 66 |
GC 122 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
32 |
30 V - Schalttransistor |
| 65 |
GC 121 - Paar |
HFO / DDR / Pärchen |
4 |
als Paar für NF - Endstufen |
| 64 |
GC 121d - Paar |
HFO / DDR / Pärchen |
3 |
als Paar für NF - Endstufen |
| 63 |
GC 121 E |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 62 |
GC 121 E |
HFO / Pärchen ausgemessen |
8 |
als Paar für NF - Endstufen |
| 61 |
GC 121 D |
HFO / DDR / Bauform |
25 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 60 |
GC 121 C |
HFO / DDR / Bauform 8 |
72 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 59 |
GC 121 C |
HFO / Pärchen ausgemessen |
12 |
als Paar für NF - Endstufen |
| 58 |
GC 121 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
31 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 57 |
GC 121 B |
HFO / Pärchen ausgemessen |
15 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 56 |
GC 121 A |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 55 |
GC 121 / 2 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
5 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 54 |
GC 121 / 1 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
3 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 53 |
GC 121 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
104 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 52 |
GC 120 |
HFO / DDR / Bauform 3 |
0 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
| 51 |
GC 118 D |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
| 50 |
GC 118 C |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
| 49 |
GC 118 B |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
| 48 |
GC 118 / 1 B |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
| 47 |
GC 118 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
| 46 |
GC 117 D |
HFO / DDR / Bauform |
10 |
Rauscharmer NF-Transistor |
| 45 |
GC 117 C |
HFO / DDR / Bauform |
60 |
Rauscharmer NF-Transistor |
| 44 |
GC 117 B |
HFO / DDR / Bauform |
17 |
Rauscharmer NF-Transistor |
| 43 |
GC 117 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
2 |
Rauscharmer NF-Transistor |
| 42 |
GC 117 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
5 |
Rauscharmer NF-Transistor |
| 41 |
GC 116 e |
HFO / DDR / Bauform |
68 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 40 |
GC 116 d / Paar |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
ausgemessenes Pärchen |
| 39 |
GC 116 d |
HFO / DDR / Bauform |
27 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 38 |
GC 116 c |
HFO / DDR / Bauform |
72 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 37 |
GC 116 b |
HFO / DDR / Bauform |
16 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 36 |
GC 116 a / klar |
HFO / DDR / Bauform |
6 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 35 |
GC 116 a / b |
HFO / DDR -gefertigt für CCCP |
3 |
mit sowjetischem Aufdruck |
| 34 |
GC 116 / N.Du |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 33 |
GC 116 / 2 |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 32 |
GC 116 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 31 |
GC 115 C |
HFO / DDR / Bauform 3 |
4 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
| 30 |
GC 112 B |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
| 29 |
GC 112 |
HFO / DDR / Bauform 6 / TV |
36 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
| 28 |
GC 111 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
0 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
| 27 |
GC 105 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
7 |
für rauscharme Verstärker |
| 26 |
GC 104 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
für rauscharme Verstärker |
| 25 |
GC 103 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
für rauscharme Verstärker |
| 24 |
GC 102 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
5 |
für rauscharme Verstärker |
| 23 |
GC 101 d |
HFO / DDR / Bauform |
89 |
für rauscharme Verstärker |
| 22 |
GC 101 c |
HFO / DDR / Bauform 6 |
2 |
für rauscharme Verstärker |
| 21 |
GC 101 b |
HFO / DDR / Bauform 6 |
8 |
für rauscharme Verstärker |
| 20 |
GC 101 a |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
für rauscharme Verstärker |
| 19 |
GC 101 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
34 |
für rauscharme Verstärker |
| 18 |
GC 100 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
| 17 |
GC 100 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
16 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
| 16 |
GC 100 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
| 15 |
GC 100 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
208 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
| 14 |
G Tr |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
NF Transistor |
| 13 |
BSY 34 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
121 |
Si - npn Planar Epitaxie / EDV und Kerntreiber |
| 12 |
BS 108 |
MTG / DDR / Bauform TO-92 |
3 |
n-Kanal DMOS Transistor |
| 11 |
BF 241 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
27 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors |
| 10 |
3 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Oszillatortransistor |
| 9 |
2 NC - 030 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Schalttransistor |
| 8 |
2 NC - 020 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Schalttransistor |
| 7 |
2 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
2 |
Ge-pnp Spitzentransistor Nr.G/021; prod. 27.06.1956 |
| 6 |
1 NC - 022 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 6 MHz 20 db |
| 5 |
1 NC - 021 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 3 MHz 20 db |
| 4 |
1 NC - 020 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 1 MHz 20 db |
| 3 |
1 NC - 012 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
4 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 6 MHz 17 db |
| 2 |
1 NC - 011 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 3 MHz 17 db |
| 1 |
1 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
1 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 1 MHz 17 db |