Nr. |
Bezeichnung |
Hersteller/Land |
Anzahl |
Bemerkung |
231 |
OC 871 / GF100 |
WBN/ Institut für Halbleitertechnik |
0 |
produziert am 06.09.1960 in Teltow |
1 |
1 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
1 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 1 MHz 17 db |
2 |
1 NC - 011 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 3 MHz 17 db |
3 |
1 NC - 012 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
4 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 6 MHz 17 db |
4 |
1 NC - 020 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 1 MHz 20 db |
5 |
1 NC - 021 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 3 MHz 20 db |
6 |
1 NC - 022 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor Verstärker 6 MHz 20 db |
7 |
2 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
2 |
Ge-pnp Spitzentransistor Nr.G/021; prod. 27.06.1956 |
8 |
2 NC - 020 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Schalttransistor |
9 |
2 NC - 030 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Schalttransistor |
10 |
3 NC - 010 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Ge-pnp Spitzentransistor, Oszillatortransistor |
14 |
G Tr |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
NF Transistor |
80 |
GC 216 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
1 |
NF Transistor |
83 |
GC 223 |
WBN Carl von Ossietzky, Teltow |
0 |
Universal - Transistor |
170 |
OC 811 |
WBN / HWF Ge-pnp-Flächentr. |
10 |
NF-Transistor für NF-Vorstufen |
168 |
OC 810 |
WBN / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
NF-Transistor für Vorstufen |
178 |
OC 816 - oval |
WBN / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
122 |
GF 145 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor/BF 4 |
181 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 860 MHz |
123 |
GF 146 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor/BF 4 |
3 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 260 MHz |
124 |
GF 147 |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor |
98 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 900 MHz |
125 |
GF 147 / S |
RWN/Ge-pnp-Mesatransistor |
53 |
für Vor-,Misch, und Oszillator bis 900 MHz |
427 |
SF 357 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
73 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
428 |
SF 358 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
31 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
429 |
SF 359 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
120 |
npn-HF-Transistoren für Videoendstufen |
431 |
SF 369 |
RWN / DDR / Bauform SOT-32 |
63 |
Videoendstufen in Fernsehempfängern |
423 |
SF 235 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
832 |
HF-Verstärker / Oszillatoren bis 260 MHz |
424 |
SF 240 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
458 |
für geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
425 |
SF 245 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
188 |
nicht geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
426 |
SF 245 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
100 |
nicht geregelte FS-ZF-Verstärkerstufen |
508 |
SS 216 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
227 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
509 |
SS 216 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
165 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
510 |
SS 216 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1554 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
511 |
SS 216 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1347 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
512 |
SS 218 A |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
80 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
513 |
SS 218 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
27 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
514 |
SS 218 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
98 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
515 |
SS 218 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
915 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
516 |
SS 219 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
901 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
517 |
SS 219 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
590 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
518 |
SS 219 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
289 |
npn-Planar Epitaxie für digitale Anwendungen |
430 |
SF 368 |
RWN / DDR / Bauform 6 |
1 |
Videoendstufen in Fernsehempfängern |
464 |
SFE 225 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-HF-Transistoren |
465 |
SFE 235 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für verkappte Hybritschaltkreise |
466 |
SFE 245 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für verkappte Hybritschaltkreise |
520 |
SSE 200 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
521 |
SSE 201 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
522 |
SSE 202 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und Aufsetztechnik / NF-Tr. |
92 |
SSE 216 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und SMD-Technik |
524 |
SSE 219 |
RWN / DDR / Bauform 4 |
0 |
für Hybrid-und SMD-Technik |
504 |
SS 200 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
619 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
505 |
SS 201 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
240 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
506 |
SS 202 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
570 |
Ansteuerung von Zifferanzeigeröhren |
507 |
SS 209 D |
RWN / DDR / Bauform 3 |
2 |
|
311 |
SCE 237 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
312 |
SCE 238 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
313 |
SCE 239 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
314 |
SCE 307 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
315 |
SCE 308 |
RWN / DDR / Bauform 3 |
0 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
316 |
SCE 309 d |
RWN / DDR / Bauform 3 |
50 |
Si-npn-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
281 |
SC 236 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
566 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
282 |
SC 236 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1369 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
283 |
SC 236 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
514 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
284 |
SC 237 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
285 |
SC 237 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
10 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
286 |
SC 237 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
733 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
287 |
SC 237 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1295 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
288 |
SC 237 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
576 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
289 |
SC 238 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
0 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
290 |
SC 238 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
174 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
291 |
SC 238 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
494 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
292 |
SC 238 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
562 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
293 |
SC 238 F |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
309 |
Silizium-npn-Transistoren für NF-Vorstufen |
294 |
SC 239 B |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
26 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
295 |
SC 239 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
1611 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
296 |
SC 239 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
987 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
297 |
SC 239 F |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
410 |
speziell für rauscharme Vor-und Treiberst. |
298 |
SC 307 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
7 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
299 |
SC 307 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
946 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
300 |
SC 307 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2374 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
301 |
SC 307 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
413 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
302 |
SC 308 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
20 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
303 |
SC 308 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
38 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
304 |
SC 308 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2306 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
305 |
SC 308 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
386 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
306 |
SC 309 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
5 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
307 |
SC 309 C |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
2 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
308 |
SC 309 D |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
919 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
309 |
SC 309 E |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
369 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren rauscharm |
310 |
SC 310 |
RWN / DDR / Bauform L 3 |
6 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
150 |
GS 502 |
OHNE Firma / DDR / Bauform |
1 |
|
12 |
BS 108 |
MTG / DDR / Bauform TO-92 |
3 |
n-Kanal DMOS Transistor |
176 |
OC 816 |
IHT / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
243 |
OC 922 / SS102 |
IHT / DDR / Bauform |
1 |
NF - Transistor |
332 |
SF 111 |
IHT / DDR / Bauform |
1 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
171 |
OC 812 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
174 |
OC 815 - oval |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
Transistor für Vor- und Treiberstufen |
175 |
OC 815 - rund |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Transistor für NF-Endstufen |
177 |
OC 816 - oval |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
60 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
180 |
OC 816 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
181 |
OC 816 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
182 |
OC 816 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
183 |
OC 816 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
185 |
OC 817 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
186 |
OC 817 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
187 |
OC 817 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
188 |
OC 817 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
189 |
OC 817/GC117 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
195 |
OC 821 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
33 |
Für Endstufen mit 50mW Ausgangsleistung |
197 |
OC 822 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
25 |
Transistor für 30 V- Schaltanwendungen |
201 |
OC 825 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
223 |
OC 870 / GC 100 |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
5 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
225 |
OC 870 a |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
226 |
OC 870 b |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
227 |
OC 870 c |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
228 |
OC 870 d |
HWF / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
184 |
OC 816 K |
HWF / DDR / in Kühlkörper |
3 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
167 |
OC 810 |
HWF / DDR / Ge-pnp-Flächentr. |
3 |
Originalverpackt / |
169 |
OC 811 |
HWF / DDR / Ge-pnp-Flächentr. |
9 |
NF-Transistor für NF-Vorstufen |
230 |
OC 871 / GF100 |
HWF / DDR / Bauform |
5 |
Transistor für AM-ZF-Verstärkerstufen |
159 |
LC 810 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF-Vorstufen |
160 |
LC 815 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
13 |
NF-Vorstufen und NF Kleinleistung |
161 |
LC 824 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
4 |
NF-Vorstufen und NF Kleinleistung |
162 |
LD 830 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF - Leistungsstufen |
163 |
LD 835 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
NF - Leistungsstufen |
164 |
LF 871 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
ZF-Stufen für AM |
165 |
LF 880 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
0 |
Mischstufen bis 8 MHz |
166 |
LF 881 |
HFO / DDR Lehr-und Basteltrans. |
2 |
ZF-Stufen 10.7 MHz und HF |
155 |
LA 25 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Transistor f. Vorstufen |
156 |
LA 30 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
1 |
Ge-Flächen-HF- und Audiostufen |
157 |
LA 50 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Transistor f. Vorstufen |
158 |
LA 100 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
10 |
Ge-Flächen-NF-Transistor,Vorstufen / Kleinleistung |
153 |
LA 1 |
HFO / DDR Lehr-u.Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Leistungstransistor |
154 |
LA 4 |
HFO / DDR Lehr-u. Amateurzweck |
0 |
Ge-Flächen-NF-Leistungstransistor |
126 |
GF 180 |
HFO / DDR Hochfrequenztransist |
0 |
für FM Stereo ZF Verstärker |
172 |
OC 813 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
3 |
Transistor für NF-Vorstufen- hohe Anforder. |
173 |
OC 814 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
179 |
OC 816 - rund |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
9 |
Transistor für NF-Endstufen Kl. Leistung |
190 |
OC 818 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
191 |
OC 818 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
192 |
OC 818 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
193 |
OC 818 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
extrem rauscharmer Transistor für NF |
194 |
OC 820 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
196 |
OC 821 / Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen mit 100 mw Ausgangsleistung |
198 |
OC 823/GC823 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
Transistor für 60 V Schaltanwendungen |
199 |
OC 824 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
13 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
200 |
OC 824 C |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Für Endstufen mittlerer Leistung |
202 |
OC 825 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
12 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
203 |
OC 825 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
4 |
2xPärchen |
204 |
OC 825 a /Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
8 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
205 |
OC 825 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
21 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
206 |
OC 825 b /Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
207 |
OC 825 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
3 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
208 |
OC 825 c/Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
209 |
OC 825 d/ Paar |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
Für Endstufen kleiner Leistung |
210 |
OC 826 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
10 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
211 |
OC 826 - 2X |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
6 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
212 |
OC 826 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
213 |
OC 826 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
214 |
OC 826 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
215 |
OC 826 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für NF-Vorstufen |
216 |
OC 827 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
217 |
OC 827 a |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
218 |
OC 827 b |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
219 |
OC 827 c |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
220 |
OC 827 d |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
rauscharmer Transistor für hochwertige NF |
221 |
OC 828 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
7 |
Transistor für 30 V- Schaltanwendungen |
222 |
OC 829 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
2 |
Transistor für 60 V Schaltanwendungen |
224 |
OC 870 / GC101 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
27 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
229 |
OC 871 / GF100 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
23 |
Transistor für AM-ZF-Verstärkerstufen |
232 |
OC 872 / GF105 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
24 |
Transistor für HF-Verstärker - bis 2 MHz |
233 |
OC 873 / GF110 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
36 |
Transistor für NF Vorverstärker Hohe Anf. |
235 |
OC 880 / GF120 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
1 |
HF Transistor für AM Bereich MW und LW |
236 |
OC 881 / GF121 |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
0 |
HF Transistor für AM Bereich KW |
238 |
OC 882 A |
HFO / DDR Ge-pnp-Flächentrans. |
7 |
HF Transistor für AM Bereich KW |
237 |
OC 882 / GF122 |
HFO / DDR Ge-pnp-Drifttrans. |
1 |
HF-Transistor für ZF-Stufen bei 10,7 MHz |
239 |
OC 883 / GF130 |
HFO / DDR Ge-pnp-Drifttrans. |
7 |
HF-Transistor für Mischstufen bis 100 MHz |
64 |
GC 121d - Paar |
HFO / DDR / Pärchen |
3 |
als Paar für NF - Endstufen |
65 |
GC 121 - Paar |
HFO / DDR / Pärchen |
4 |
als Paar für NF - Endstufen |
407 |
SF 140 |
HFO / DDR / Bauform TO-5 |
5 |
für HF - Verstärkung / 350MHz / 40V/25mA |
409 |
SF 150 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 Si-npn |
2693 |
für Video-Endstufen |
336 |
SF 116 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
2 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
337 |
SF 116 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
6 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
338 |
SF 116 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
30 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
339 |
SF 116 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
19 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
340 |
SF 116 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
84 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
341 |
SF 117 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
1 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
342 |
SF 117 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
89 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
343 |
SF 117 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
76 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
344 |
SF 118 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
3660 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
345 |
SF 118 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
14 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
346 |
SF 118 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
222 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
347 |
SF 118 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
10 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
348 |
SF 119 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
5 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
349 |
SF 119 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
63 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
350 |
SF 119 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / pnp-HF |
314 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
351 |
SF 121 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
42 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
352 |
SF 121 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
10 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
353 |
SF 121 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
6 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
354 |
SF 121 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
5 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
355 |
SF 121 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
154 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
356 |
SF 122 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
2 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
357 |
SF 122 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
1 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
358 |
SF 122 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
25 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
359 |
SF 122 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
16 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
360 |
SF 122 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
2 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
361 |
SF 123 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
3 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
362 |
SF 123 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
8 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
363 |
SF 123 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
99 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
364 |
SF 123 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
31 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
365 |
SF 123 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 / npn-HF |
4 |
Transistor f. breitbandige NF-u.HF Verst. |
525 |
SSY 20 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
8 |
Schalttransistor in der EDV |
526 |
SSY 20 A |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
89 |
Schalttransistor in der EDV |
527 |
SSY 20 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
69 |
Schalttransistor in der EDV |
528 |
SSY 20 B-K |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
9 |
|
432 |
SF 816 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
51 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
433 |
SF 816 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
41 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
434 |
SF 816 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1037 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
435 |
SF 816 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
70 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
436 |
SF 817 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
54 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
437 |
SF 817 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
255 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
438 |
SF 817 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
407 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
439 |
SF 817 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
28 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
440 |
SF 818 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
29 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
441 |
SF 818 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
185 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
442 |
SF 818 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1353 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
443 |
SF 818 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
133 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
444 |
SF 819 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
419 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
445 |
SF 819 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
119 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
446 |
SF 819 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
252 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
447 |
SF 826 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1200 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
448 |
SF 826 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
33 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
449 |
SF 826 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
50 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
450 |
SF 826 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
218 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
451 |
SF 826 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
162 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
452 |
SF 827 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
7 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
453 |
SF 827 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
53 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
454 |
SF 827 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
166 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
455 |
SF 827 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
182 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
456 |
SF 827 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
91 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
457 |
SF 828 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
145 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
458 |
SF 828 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
1148 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
459 |
SF 828 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
175 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
460 |
SF 828 E |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
156 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
461 |
SF 829 B |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
34 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
462 |
SF 829 C |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
96 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
463 |
SF 829 D |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
435 |
Silizium-npn-HF-TransistorBreitbandverstärker |
11 |
BF 241 |
HFO / DDR / Bauform SOT-54 |
27 |
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors |
245 |
OC-HWF |
HFO / DDR / Bauform oval |
5 |
Bezeichnung nur HWF ohne Zahl |
152 |
HWF |
HFO / DDR / Bauform oval |
2 |
NF Bastlertype |
488 |
SS 106 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
489 |
SS 106 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
3 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
490 |
SS 106 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1121 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
491 |
SS 106 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
352 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
492 |
SS 108 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
9 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
493 |
SS 108 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
27 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
494 |
SS 108 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
104 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
495 |
SS 108 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
41 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
496 |
SS 109 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
146 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
497 |
SS 109 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
130 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
498 |
SS 109 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
49 |
schneller Schalttransistor / Logikschaltung |
387 |
SF 131 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
7 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
388 |
SF 131 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
389 |
SF 131 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
22 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
390 |
SF 131 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
71 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
391 |
SF 131 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
392 |
SF 132 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
5 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
393 |
SF 132 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
18 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
394 |
SF 132 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
22 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
395 |
SF 132 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
1 |
breitbandiger NF- und HF- Verstärker |
396 |
SF 136 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
6 |
für HF - Verstärkung |
397 |
SF 136 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
30 |
für HF - Verstärkung |
398 |
SF 136 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
668 |
für HF - Verstärkung |
399 |
SF 136 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
114 |
für HF - Verstärkung |
400 |
SF 136 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
12 |
für HF - Verstärkung |
401 |
SF 137 |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
7 |
für HF - Verstärkung |
402 |
SF 137 B |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
89 |
für HF - Verstärkung |
403 |
SF 137 C |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
156 |
für HF - Verstärkung |
404 |
SF 137 D |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
2691 |
für HF - Verstärkung |
405 |
SF 137 E |
HFO / DDR / Bauform A 3 / 15 |
282 |
für HF - Verstärkung |
53 |
GC 121 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
104 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
54 |
GC 121 / 1 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
3 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
55 |
GC 121 / 2 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
5 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
58 |
GC 121 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
31 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
60 |
GC 121 C |
HFO / DDR / Bauform 8 |
72 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
66 |
GC 122 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
32 |
30 V - Schalttransistor |
72 |
GC 123 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
20 |
60 V - Schalttransistor |
73 |
GC 123 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
5 |
60 V - Schalttransistor |
74 |
GC 123 / 2 |
HFO / DDR / Bauform 8 |
22 |
60 V - Schalttransistor |
75 |
GC 123 A |
HFO / DDR / Bauform 8 |
6 |
60 V - Schalttransistor |
76 |
GC 123 B |
HFO / DDR / Bauform 8 |
27 |
60 V - Schalttransistor |
77 |
GC 123 C |
HFO / DDR / Bauform 8 |
61 |
60 V - Schalttransistor |
78 |
GC 123 D |
HFO / DDR / Bauform 8 |
11 |
60 V - Schalttransistor |
79 |
GC 123 Paar |
HFO / DDR / Bauform 8 |
1 |
60 V - Schalttransistor |
100 |
GF 120 / OC 880 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
8 |
für Mittel-und Langwellenbereich bis 3 MHz |
101 |
GF 121 / OC 881 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
28 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
102 |
GF 121 b |
HFO / DDR / Bauform 7 |
8 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
104 |
GF 122 / OC 882 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
FM - ZF Stufen |
105 |
GF 122 b |
HFO / DDR / Bauform 7 |
15 |
FM - ZF Stufen |
108 |
GF 126 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
6 |
für AM-ZF-Verstärker |
110 |
GF 128 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
für Video ZF-Verstärker bis 37 MHz |
111 |
GF 129 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
7 |
AM - Mischer |
112 |
GF 130 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
44 |
für FM-ZF- Verstärker bis 10,7 MHz |
113 |
GF 131 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
20 |
für UKW-Mischstufen |
114 |
GF 132 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
29 |
für UKW-Vorstufen |
115 |
GF 132 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
13 |
für UKW-Vorstufen |
116 |
GF 139 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
10 |
für AM-ZF-Verstärker |
127 |
GF 181 |
HFO / DDR / Bauform 7 |
9 |
für UKW-Mischstufen |
29 |
GC 112 |
HFO / DDR / Bauform 6 / TV |
36 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
15 |
GC 100 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
208 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
16 |
GC 100 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
17 |
GC 100 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
16 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
18 |
GC 100 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für allgemeine Anwendungen im NF-Gebiet |
19 |
GC 101 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
34 |
für rauscharme Verstärker |
21 |
GC 101 b |
HFO / DDR / Bauform 6 |
8 |
für rauscharme Verstärker |
22 |
GC 101 c |
HFO / DDR / Bauform 6 |
2 |
für rauscharme Verstärker |
24 |
GC 102 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
5 |
für rauscharme Verstärker |
25 |
GC 103 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
für rauscharme Verstärker |
26 |
GC 104 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
für rauscharme Verstärker |
27 |
GC 105 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
7 |
für rauscharme Verstärker |
28 |
GC 111 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
0 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
482 |
GC 116 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
61 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
42 |
GC 117 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
5 |
Rauscharmer NF-Transistor |
43 |
GC 117 / 1 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
2 |
Rauscharmer NF-Transistor |
47 |
GC 118 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
85 |
GC 301 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
16 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
97 |
GF 100 / OC 871 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
151 |
für AM-ZF-Verstärker bis 470 KHz |
98 |
GF 105 / OC 872 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
277 |
für AM-Misch-und Oszillatorstufen bis 2 MHz |
99 |
GF 108 b |
HFO / DDR / Bauform 6 |
4 |
HF-Transistor-Breitbandverstärker |
128 |
GS 100 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-Schalter für mittlere Geschwindigkeiten |
129 |
GS 105 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
1 |
|
130 |
GS 109 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
96 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
131 |
GS 109 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
50 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
132 |
GS 109 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
71 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
133 |
GS 109 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
19 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
134 |
GS 109 E |
HFO / DDR / Bauform 6 |
3 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen |
135 |
GS 110 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
0 |
Schalter für mittlere Geschwindigkeiten |
136 |
GS 111 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
138 |
GS 111 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
25 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
139 |
GS 111 E |
HFO / DDR / Bauform 6 |
6 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
140 |
GS 112 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
33 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
141 |
GS 112 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
27 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
142 |
GS 112 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
12 |
Ge-Tr-für digitale Schaltstufen-mittelschnell |
143 |
GS 121 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
29 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
144 |
GS 121 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
145 |
GS 121 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
57 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
146 |
GS 121 D |
HFO / DDR / Bauform 6 |
43 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
147 |
GS 122 |
HFO / DDR / Bauform 6 |
11 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
148 |
GS 122 B |
HFO / DDR / Bauform 6 |
1 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
149 |
GS 122 C |
HFO / DDR / Bauform 6 |
14 |
für den Einstz in Rechenmaschinen |
467 |
SFT 308 |
HFO / DDR / Bauform 4 |
1 |
|
31 |
GC 115 C |
HFO / DDR / Bauform 3 |
4 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
52 |
GC 120 |
HFO / DDR / Bauform 3 |
0 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
84 |
GC 300 D |
HFO / DDR / Bauform 3 |
1 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
486 |
SS 101 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
NF - Transistor |
487 |
SS 102 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
6 |
NF - Transistor |
250 |
SC 100 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Si-NF-Transistor mit kleiner Sperrspannung |
251 |
SC 103 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
7 |
Si-NF-Transistor für allgemeine Anwendung |
252 |
SC 104 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
5 |
NF-Transistor für allgemeine Anwendung |
253 |
SC 106 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
31 |
NF-Transistor |
254 |
SC 107 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor |
255 |
SC 108 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
NF-Transistor |
256 |
SC 109 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor |
257 |
SC 110 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Transistor für universelle NF-Zwecke |
258 |
SC 111 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor für Vor-Uund Treiberstufen |
259 |
SC 112 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
NF-Transistor für rauscharme Vorstufen |
260 |
SC 113 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
6 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
261 |
SC 116 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
1 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
262 |
SC 116 E |
HFO / DDR / Bauform 2 |
4 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
263 |
SC 117 |
HFO / DDR / Bauform 2 |
0 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
264 |
SC 118 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
11 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
265 |
SC 119 C |
HFO / DDR / Bauform 2 |
42 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
266 |
SC 119 D |
HFO / DDR / Bauform 2 |
127 |
Si-pnp-Planar-Epitaxie-NF-Transistoren |
234 |
OC 874 |
HFO / DDR / Bauform 13 |
0 |
Schalter mittlerer Geschwindigkeit |
501 |
SS 125 C |
HFO / DDR / Bauform 1 |
4 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
502 |
SS 126 B |
HFO / DDR / Bauform 1 |
15 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
503 |
SS 126 C |
HFO / DDR / Bauform 1 |
28 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
325 |
SF 021 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
327 |
SF 021 B |
HFO / DDR / Bauform 1 |
1 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
328 |
SF 022 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
329 |
SF 023 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
330 |
SF 024 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
331 |
SF 025 |
HFO / DDR / Bauform 1 |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
13 |
BSY 34 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
121 |
Si - npn Planar Epitaxie / EDV und Kerntreiber |
323 |
SF 016 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
85 |
Breitbandverstärker / mittelschneller Schalter |
324 |
SF 018 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
271 |
Silizium-pnp-HF-TransistorBreitbandverstärker |
366 |
SF 126 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
0 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
367 |
SF 126 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
1281 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
368 |
SF 126 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
716 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
369 |
SF 126 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
475 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
370 |
SF 126 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
503 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
371 |
SF 126 F |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
2 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
372 |
SF 127 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
2 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
373 |
SF 127 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
44 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
374 |
SF 127 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
366 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
375 |
SF 127 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
157 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
376 |
SF 127 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
100 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
377 |
SF 128 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
66 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
378 |
SF 128 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
81 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
379 |
SF 128 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
256 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
380 |
SF 128 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
294 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
381 |
SF 128 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
202 |
Planar-Epitaxie-Tr. für Breitbandverstärker |
382 |
SF 129 |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
4 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
383 |
SF 129 B |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
223 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
384 |
SF 129 C |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
436 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
385 |
SF 129 D |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
394 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
386 |
SF 129 E |
HFO / DDR / Bauform TO-39 |
1 |
Transistor für Breitbandverstärkung |
412 |
SF 215 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
580 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
413 |
SF 215 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
605 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
414 |
SF 215 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
2 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
415 |
SF 215 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
416 |
SF 216 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
62 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
417 |
SF 216 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
190 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
418 |
SF 216 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
619 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
419 |
SF 216 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
35 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
420 |
SF 216 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
21 |
HF-Verstärkung /Oszillatoren bis 100 MHz |
422 |
SF 225 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
2437 |
HF Verstärker LMK-Vorstufen und ZF Stufen |
267 |
SC 205 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
268 |
SC 206 |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
32 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
269 |
SC 206 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
3036 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
270 |
SC 206 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
92 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
271 |
SC 206 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
108 |
Si-npn- Transistor füt NF-Vor-und Treiberstufen |
272 |
SC 206 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
178 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
273 |
SC 207 B |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
55 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
274 |
SC 207 C |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
164 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
275 |
SC 207 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
83 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
276 |
SC 207 D / S |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
10 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
277 |
SC 207 E |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
123 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
278 |
SC 207 E / S |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
20 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
279 |
SC 207 F |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
37 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
280 |
SC 208 D |
HFO / DDR / Bauform L 3 |
1 |
NF-Transistor für Rauscharme Vorstufen |
318 |
SCE 536 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
320 |
SCE 538 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
322 |
SCE 540 |
HFO / DDR / Bauform / pnp |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
317 |
SCE 535 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
319 |
SCE 537 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
321 |
SCE 539 |
HFO / DDR / Bauform / npn |
0 |
Si-Epitaxie-Planar-NF-Transistoren |
410 |
SF 150 C |
HFO / DDR / Bauform npn-Si-P |
16 |
für Video-Endstufen |
411 |
SF 158 |
HFO / DDR / Bauform |
22 |
|
421 |
SF 222 C |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
|
468 |
SL 112 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
469 |
SL 113 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
470 |
SL 114 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF- Leistungsverstärker / Schalter |
477 |
SMY 2 |
HFO / DDR / Bauform |
50 |
|
240 |
OC 884 / GF131 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für UKW-Mischstufen |
241 |
OC 920 / SC100 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
Si-NF-Transistor mit kleiner Sperrspannung |
499 |
SS 120 A |
HFO / DDR / Bauform |
10 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
242 |
OC 921 / SS101 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
NF - Transistor |
500 |
SS 125 B |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
Mittelschneller Schalttransistor für EDV |
244 |
OC 923 / SC103 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
|
246 |
S 4 F 118 C |
HFO / DDR / Bauform |
8565 |
|
247 |
S 4 F 129 C |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
248 |
S 4 F 137 C |
HFO / DDR / Bauform |
61 |
|
249 |
S 4 SY 20 B |
HFO / DDR / Bauform |
520 |
|
519 |
SS 237 E |
HFO / DDR / Bauform |
29 |
|
529 |
T 1 589 / M |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
530 |
T 4 589 P |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
531 |
T 8 589 M |
HFO / DDR / Bauform |
64 |
|
20 |
GC 101 a |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
für rauscharme Verstärker |
532 |
T 8 8589 B |
HFO / DDR / Bauform |
40 |
|
533 |
T 9 589 P |
HFO / DDR / Bauform |
28 |
|
534 |
TD 511 M |
HFO / DDR / Bauform |
81 |
|
23 |
GC 101 d |
HFO / DDR / Bauform |
89 |
für rauscharme Verstärker |
30 |
GC 112 B |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
speziell für Steuer- und Regelzwecke |
32 |
GC 116 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
33 |
GC 116 / 2 |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
34 |
GC 116 / N.Du |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
36 |
GC 116 a / klar |
HFO / DDR / Bauform |
6 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
37 |
GC 116 b |
HFO / DDR / Bauform |
16 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
38 |
GC 116 c |
HFO / DDR / Bauform |
72 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
39 |
GC 116 d |
HFO / DDR / Bauform |
27 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
40 |
GC 116 d / Paar |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
ausgemessenes Pärchen |
41 |
GC 116 e |
HFO / DDR / Bauform |
68 |
NF-Transistor für Vor-und Treiberstufen |
44 |
GC 117 B |
HFO / DDR / Bauform |
17 |
Rauscharmer NF-Transistor |
45 |
GC 117 C |
HFO / DDR / Bauform |
60 |
Rauscharmer NF-Transistor |
46 |
GC 117 D |
HFO / DDR / Bauform |
10 |
Rauscharmer NF-Transistor |
48 |
GC 118 / 1 B |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
49 |
GC 118 B |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
50 |
GC 118 C |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
51 |
GC 118 D |
HFO / DDR / Bauform |
2 |
Besonders rauscharmer NF- Transistor |
56 |
GC 121 A |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
61 |
GC 121 D |
HFO / DDR / Bauform |
25 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
63 |
GC 121 E |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
67 |
GC 122 / 2 |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
30 V - Schalttransistor |
68 |
GC 122 A |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
30 V - Schalttransistor |
69 |
GC 122 B |
HFO / DDR / Bauform |
34 |
30 V - Schalttransistor |
70 |
GC 122 C |
HFO / DDR / Bauform |
39 |
30 V - Schalttransistor |
71 |
GC 122 D |
HFO / DDR / Bauform |
23 |
30 V - Schalttransistor |
326 |
SF 021 A |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
Breitband, NF, HF, mittelschnelle Schalter |
333 |
SF 112 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
334 |
SF 113 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
335 |
SF 114 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für Breitbandverstärker/Mittelschnelle Sch. |
81 |
GC 217 |
HFO / DDR / Bauform |
12 |
NF, Treiber für Mikromudultechnik |
82 |
GC 221 |
HFO / DDR / Bauform |
38 |
NF; Endstufe für Mikromudultechnik |
86 |
GC 301 + |
HFO / DDR / Bauform |
21 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
87 |
GC 301 A |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
88 |
GC 301 B |
HFO / DDR / Bauform |
8 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
90 |
GC 301 C |
HFO / DDR / Bauform |
40 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
92 |
GC 301 D |
HFO / DDR / Bauform |
31 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
94 |
GC 301 E |
HFO / DDR / Bauform |
84 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
103 |
GF 121 c |
HFO / DDR / Bauform |
3 |
für MW,LW und KW bis 8 MHz |
106 |
GF 122 f |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
FM - ZF Stufen |
107 |
GF 125 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
FM - ZF Stufen |
109 |
GF 126 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für AM-ZF-Verstärker |
117 |
GF 139 / 1 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
für AM-ZF-Verstärker |
118 |
GF 140 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
119 |
GF 141 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
120 |
GF 142 |
HFO / DDR / Bauform |
4 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
121 |
GF 143 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
HF-Verstärker bis 260 MHz |
481 |
GF 505 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
137 |
GS 111 C |
HFO / DDR / Bauform |
5 |
|
406 |
SF 138 |
HFO / DDR / Bauform |
0 |
für HF - Verstärkung |
151 |
GSY 09 |
HFO / DDR / Bauform |
1 |
|
408 |
SF 145 |
HFO / DDR / Bauform |
11 |
für HF - Verstärkung |
35 |
GC 116 a / b |
HFO / DDR -gefertigt für CCCP |
3 |
mit sowjetischem Aufdruck |
89 |
GC 301 B - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
5 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
91 |
GC 301 c - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
14 |
Treibertransistor und Gegentaktenrstufen |
93 |
GC 301 d - Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
9 |
für hochwertige Gegentakt-B-Endstufen |
95 |
GC 301 T |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
3 |
3 Pärchen |
96 |
GC 301-Paar |
HFO / ausgemessenes Pärchen |
14 |
für hochwertige Gegentakt-B-Endstufen |
57 |
GC 121 B |
HFO / Pärchen ausgemessen |
15 |
für Treiber und Gegentaktendverstärker |
59 |
GC 121 C |
HFO / Pärchen ausgemessen |
12 |
als Paar für NF - Endstufen |
62 |
GC 121 E |
HFO / Pärchen ausgemessen |
8 |
als Paar für NF - Endstufen |
478 |
SMY 50 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
101 |
Silizium P-Kanal-Anreicherungstyp MOS-FET mit Schutzdiode; |
479 |
SMY 51 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
55 |
MOS-Feldeffekttransistor / Doppeltransistor = 2 x SMY50; |
480 |
SMY 52 |
FWE / DDR/Si-MOSFET / DIP-4 |
166 |
MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)/Anschlussfolge DSbG; |
483 |
SMY 60 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
43 |
Dual Silizium P-Kanal-Anreicherungstyp MOS-FET, |
484 |
SMY 61 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
0 |
für Einsatz in analogen Schaltungen |
485 |
SMY 62 |
FWE / DDR / Doppeltransistor |
30 |
für Einsatz in analogen Schaltungen |
471 |
SM 103 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
23 |
Si-MOS-Feldeffekt-Transistor |
472 |
SM 104 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
8 |
Si-MOS-Feldeffekt-Transistor |
473 |
SM 200 |
FWE / DDR / Bauform 6 |
13 |
HF-Verstärkerschaltungen im VHF-Bereich; Si n-MOSFET |
475 |
SME 994 |
FWE / DDR / Bauform / VHF |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |
474 |
SME 992 |
FWE / DDR / Bauform / UKW |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |
476 |
SME 996 |
FWE / DDR / Bauform / UHF |
0 |
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor-Tetroden |