Nr. |
Bezeichnung |
Hersteller/Land |
Anzahl |
Bemerkung |
3 |
2 OA 646 |
|
2 |
Ratiodetektor |
201 |
SAY 50 |
FWE |
30 |
Si-Planar-Doppeldiode |
202 |
SAY 52 |
FWE |
0 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
203 |
SAY 60 |
FWE |
0 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
204 |
SAY 62 |
FWE |
48 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
146 |
SAL 41 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
1414 |
Digital, NF-und HF-Technik |
147 |
SAL 41 B |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
1959 |
Digital, NF-und HF-Technik |
148 |
SAL 43 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
347 |
Digital, NF-und HF-Technik |
149 |
SAL 45 |
FWE Si-Planar-Mehrfachdiode |
0 |
Digital, NF-und HF-Technik |
150 |
SAM 42 |
FWE /Gesamtverlustleistung 150mW |
666 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
151 |
SAM 43 |
FWE /Gesamtverlustleistung 200mW |
40 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
152 |
SAM 44 |
FWE /Gesamtverlustleistung 250mW |
224 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
153 |
SAM 45 |
FWE /Gesamtverlustleistung 300mW |
85 |
Si-Planar-Mehrfachdioden |
154 |
SAM 62 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
736 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
155 |
SAM 63 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
238 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
156 |
SAM 64 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
252 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
157 |
SAM 65 |
FWE /Si-Planar-Mehrfachdiode |
165 |
schnelle Schalter Logikschaltungen |
14 |
GA 100 / OA 625 |
FWE Funkwerk Erfurt |
9 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
5 |
D 1 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 10V / 5mA |
6 |
D 2 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 20V / 5mA |
7 |
D 4 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 40V / 5mA |
8 |
D 8 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 80 / 5mA |
9 |
D 10 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 100V / 5mA |
10 |
D 12 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 120V / 5mA |
11 |
D 14 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
0 |
Selen - Dioden 140V / 5mA |
12 |
D 16 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
17 |
Selen - Dioden 160V / 5mA |
13 |
D 18 |
GWG Gleichrichterwerk Grossräschen |
11 |
Selen - Dioden 180V / 5mA |
161 |
SAX 42 A |
HFO |
12 |
|
162 |
SAX 43 A |
HFO |
8 |
|
163 |
SAX 44 A |
HFO |
12 |
|
164 |
SAX 45 A |
HFO |
1 |
|
57 |
O 4 A 647 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Diodenquartett |
79 |
OA 625 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
29 |
Universaldiode |
81 |
OA 626 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
11 |
Videodiode |
87 |
OA 645 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
6 |
Universaldiode |
90 |
OA 646 2x |
HFO / DDR Germaniumdioden |
8 |
Diodenpaar |
91 |
OA 647 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Schaltdiode |
92 |
OA 656 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
2 |
|
93 |
OA 665 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
8 |
Universaldiode |
96 |
OA 666 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
0 |
Schaltdiode |
99 |
OA 685 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
27 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
104 |
OA 686 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
3 |
Universaldiode |
106 |
OA 705 |
HFO / DDR Germaniumdioden |
13 |
Universaldiode |
56 |
O 12 |
HWF / Germaniumdiode |
1 |
|
144 |
SA 418 |
RWM - Si- Epitaxie-Diode NF und HF |
4 |
grüner Punkt K / grüner Streifen |
145 |
SA 418 / 1 |
RWM - Si- Epitaxie-Diode NF und HF |
0 |
grüner Punkt K / grüner Streifen |
143 |
SA 412 |
RWM - Si-Epitaxie-Diode VHF Tuner |
167 |
Plastgehäuse / Schalterdiode / gelb |
142 |
SA 403 |
RWM - Si-Planar-Schaltdiode 50ns |
76 |
im Plastgehäuse / roter Punkt |
191 |
SAY 30-L 2/ 13 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
11850 |
im Plastgehäuse/ 18.12.87/1989 |
169 |
SAY 12 / 4 |
RWM / Mühlhausen / Bauform L 2/13 |
137 |
Schneller Schalter |
190 |
SAY 30 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
388 |
mittelschneller Schalter |
194 |
SAY 32 / 4 |
RWM / Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
28 |
im Plastgehäuse |
166 |
SAY 10 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
37 |
schneller Schalter |
167 |
SAY 11 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
37 |
schneller Schalter |
168 |
SAY 12 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
5981 |
im Plastgehäuse / auch WF Berlin |
170 |
SAY 12 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
251 |
Schneller Schalter |
171 |
SAY 12-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
853 |
Schneller Schalter |
172 |
SAY 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
45 |
Schneller Schalter |
173 |
SAY 14 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
800 |
schneller Schalter |
174 |
SAY 15 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
14 |
schneller Schalter |
175 |
SAY 16 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
386 |
im Plastgehäuse |
176 |
SAY 16 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
437 |
schneller Schalter |
177 |
SAY 16-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltd. 4 ns |
950 |
im Plastgehäuse |
178 |
SAY 17 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
118 |
im Plastgehäuse |
179 |
SAY 17 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
392 |
im Plastgehäuse |
180 |
SAY 17 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
131 |
im Plastgehäuse |
181 |
SAY 17-L 2 / 4 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
2400 |
im Plastgehäuse/17.06.89 |
182 |
SAY 17-L 2 /13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
837 |
im Plastgehäuse |
183 |
SAY 18 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
194 |
im Plastgehäuse / gelb |
184 |
SAY 18 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
320 |
im Plastgehäuse |
185 |
SAY 19 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 2 ns |
0 |
Schalter |
186 |
SAY 20 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
817 |
im Plastgehäuse |
187 |
SAY 20 / 13 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
604 |
im Plastgehäuse |
188 |
SAY 20 / L 2 |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
16 |
im Plastgehäuse |
189 |
SAY 20 B |
RWM /Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
8 |
im Plastgehäuse |
205 |
SAY 73 |
RWM/ Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
47 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
206 |
SAY 73 / 13 |
RWM/ Si-Epitaxie-Planar-Schaltdioden 4 ns |
585 |
Doppeldioden im Plastgehäuse |
195 |
SAY 40 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
82 |
im Plastgehäuse |
196 |
SAY 40 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
334 |
im Plastgehäuse |
197 |
SAY 40 / 4 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
234 |
im Plastgehäuse |
198 |
SAY 42 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
139 |
im Plastgehäuse |
199 |
SAY 42 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
154 |
im Plastgehäuse |
200 |
SAY 42 / 4 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 10ns |
505 |
Si-Planar-Doppeldiode |
192 |
SAY 32 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
884 |
im Plastgehäuse |
193 |
SAY 32 / 13 |
RWM/ Si-Planar-Schaltdioden 60ns |
650 |
im Plastgehäuse |
46 |
GE DET |
WBN |
2 |
Glasausführung |
51 |
MD 110 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
52 |
MD 120 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
53 |
MG 100 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
54 |
MG 110 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
55 |
MG 120 |
WBN |
0 |
Mischdiode |
58 |
O 4 A 653 |
WBN |
0 |
|
59 |
O 4 A 654 |
WBN |
0 |
|
63 |
OA 120 |
WBN |
0 |
F i G |
68 |
OA 516 |
WBN |
3 |
|
69 |
OA 600 |
WBN |
13 |
Mischdiode |
75 |
OA 610 |
WBN |
1 |
|
76 |
OA 620 |
WBN |
1 |
Mischdiode |
77 |
OA 623 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
78 |
OA 624 |
WBN |
5 |
|
82 |
OA 626 |
WBN |
1 |
Videodiode |
85 |
OA 643 |
WBN |
1 |
|
86 |
OA 644 |
WBN |
1 |
|
94 |
OA 665 |
WBN |
2 |
|
97 |
OA 682 |
WBN |
1 |
|
98 |
OA 683 |
WBN |
0 |
|
105 |
OA 702 |
WBN |
0 |
Universaldiode |
107 |
OA 705 |
WBN |
5 |
Universaldiode |
128 |
OAA 646 |
WBN |
1 |
|
130 |
OAA 647 |
WBN |
0 |
|
131 |
OAA 687 |
WBN |
0 |
|
132 |
RD 120 A |
WBN |
0 |
Richtdiode |
133 |
RD 121 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
134 |
RD 140 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
135 |
RD 140 A |
WBN |
0 |
Richtdiode |
136 |
RD 141 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
137 |
RD 160 |
WBN |
0 |
Richtdiode |
37 |
GDT |
WBN / grüne Farbe mit rotem Punkt |
1 |
|
84 |
OA 642 |
WBN / grüne Farbe rotem Punkt |
6 |
Richtdiode |
100 |
OA 685 |
WBN-Berlin / Germaniumdioden |
22 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
115 |
OA 801 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
2 |
|
116 |
OA 802 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
117 |
OA 803 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
2 |
|
118 |
OA 804 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
119 |
OA 805 |
WBN-Werk Bauelemente Nachrichrentech. |
0 |
|
25 |
GA 201 |
WF - BERLIN |
1 |
|
26 |
GA 202 |
WF - BERLIN |
1 |
|
64 |
OA 301 |
WF - BERLIN |
0 |
Vi-det; Glasröhre |
65 |
OA 302 |
WF - BERLIN |
0 |
Regelsp-d; Galsröhre |
66 |
OA 303 |
WF - BERLIN |
0 |
Radiodet; Glasröhre |
67 |
OA 304 |
WF - BERLIN |
0 |
Uni-d |
70 |
OA 601 |
WF - BERLIN |
11 |
dm-Richtdiode |
71 |
OA 602 |
WF - BERLIN |
10 |
dm-Richtdiode |
72 |
OA 603 |
WF - BERLIN |
2 |
dm-Richtdiode |
73 |
OA 604 |
WF - BERLIN |
6 |
dm-Richtdiode |
74 |
OA 605 |
WF - BERLIN |
12 |
dm-Richtdiode |
24 |
GA 113 x 2 |
WF - BERLIN / Pärchen |
30 |
13 Pärchen |
88 |
OA 645 |
WF - Berlin und WBN |
25 |
Universaldiode |
95 |
OA 665 |
WF Berlin |
25 |
Universaldiode |
60 |
O 4 A 657 |
WF Berlin / Diodenquartett |
30 |
Modulieren der Trägerfrequenz |
34 |
GAZ 15 |
WF- Berlin |
5 |
|
80 |
OA 625 |
WF- Berlin |
24 |
Universaldiode |
83 |
OA 626 |
WF- Berlin |
8 |
Videodiode |
101 |
OA 685 |
WF- Berlin |
16 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
108 |
OA 705 |
WF- Berlin |
8 |
Universaldiode |
129 |
OAA 646 |
WF- Berlin |
21 |
|
158 |
SAX 33 K |
WF- Berlin |
1 |
|
159 |
SAX 34 A |
WF- Berlin |
1 |
|
160 |
SAX 35 K |
WF- Berlin |
1 |
|
165 |
SAX 54 |
WF- Berlin |
1 |
|
110 |
OA 721 |
WF- Berlin / Germaniumdiode / Glas |
15 |
Schaltdiode/ Golddraht |
102 |
OA 685 |
WF- Berlin / grau |
14 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
121 |
OA 900 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
109 |
25 V / 100mA / 2 MHz |
122 |
OA 901 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
23 |
50 V / 100mA / 2 MHz |
123 |
OA 902 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
5 |
75 V / 100mA / 2 MHz |
124 |
OA 903 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
12 |
150 V / 100mA / 2 MHz |
125 |
OA 904 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
1 |
250V / 500mA / 2 MHz |
126 |
OA 905 |
WF- Berlin / Si-Flächendiode / Glas |
0 |
350V / 750mA / 2 MHz |
62 |
OA 1180 |
WF-Berlin / |
2 |
|
210 |
SAZ 61 |
WF-Berlin / 100 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |
211 |
SAZ 71 |
WF-Berlin / 150 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |
209 |
SAZ 54 |
WF-Berlin / 20 GHz |
0 |
Hochleistungs-Varaktordiode |
89 |
OA 646 |
WF-Berlin / Einzeldiode |
4 |
|
61 |
OA 1161 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
2 |
|
103 |
OA 685 C |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
246 |
Universaldiode / 80V / 10mA |
109 |
OA 720 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
5 |
Schaltdiode/ Golddraht |
112 |
OA 722 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
1 |
Schaltdiode/ Golddraht |
113 |
OA 741 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
52 |
Schaltdiode/ Golddraht |
114 |
OA 780 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
8 |
Schaltdiode/ Golddraht |
120 |
OA 805 |
WF-Berlin / Germaniumdioden |
10 |
Produziert 01.07.1961 |
111 |
OA 721 |
WF-Berlin / Germaniumdioden / grau |
9 |
Schaltdiode/ Golddraht |
47 |
GP 119 |
WF-BERLIN / Photodiode |
0 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
48 |
GP 120 |
WF-BERLIN / Photodiode |
0 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
49 |
GP 121 |
WF-BERLIN / Photodiode |
3 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
50 |
GP 122 |
WF-BERLIN / Photodiode |
1 |
Lichtschranke / Zählgeräte |
4 |
4 GA 114 |
WF-Berlin / Regelschaltungen |
6 |
Unversaldioden-Quartett |
27 |
GAY 60 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
81 |
kleiner Durchlasswiderstand |
28 |
GAY 61 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
28 |
kleiner Durchlasswiderstand |
29 |
GAY 62 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
11 |
EDV - hohe Sperrspannung |
30 |
GAY 63 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
68 |
EDV - hohe Sperrspannung |
31 |
GAY 64 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
241 |
EDV - hohe Sperrspannung |
32 |
GAY 64 A |
WF-Berlin / Schaltdioden |
2 |
EDV - hohe Sperrspannung |
33 |
GAZ 14 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
0 |
für Rechengeräte und EDV |
35 |
GAZ 16 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
28 |
für Rechengeräte und EDV |
36 |
GAZ 17 |
WF-Berlin / Schaltdioden |
223 |
für Rechengeräte und EDV |
207 |
SAZ 12 |
WF-BERLIN / Si-Flächendiode |
7 |
Si - Kapazitätsdiode |
208 |
SAZ 13 |
WF-BERLIN / Si-Flächendiode |
0 |
Si - Kapazitätsdiode |
38 |
GE 115 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
39 |
GE 116 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
40 |
GE 117 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
41 |
GE 118 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
42 |
GE 123 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
43 |
GE 124 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
44 |
GE 125 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
45 |
GE 126 |
WF-BERLIN / Tunneldiode |
0 |
Schwingungserzeuger |
140 |
SA 130 |
WF-Berlin / VHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
141 |
SA 131 |
WF-Berlin / VHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
127 |
OA 910 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
3 |
|
138 |
SA 128 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
8 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
139 |
SA 129 |
WF-Berlin / VHF und UHF Tuner |
0 |
Silizium-Kapazitätsdioden |
1 |
2 GA 109 / 2 OA 646 |
WF-Berlin/hochohm. Ratiodetektor |
63 |
Universaldioden-Paar |
2 |
2 GA 113 |
WF-Berlin/hochohm. Ratiodetektor |
17 |
Universaldioden-Paar |
15 |
GA 100 / OA 625 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
95 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
16 |
GA 101 / OA 645 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
337 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
17 |
GA 102 / OA 665 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
104 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
18 |
GA 103 / OA 685 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
287 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
19 |
GA 104 / OA 705 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
42 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
20 |
GA 105 / OA 626 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
66 |
Universaldiode bis 0,3 GHz / für FS |
21 |
GA 106 / OA 647 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
0 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
22 |
GA 107 / OA 666 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
19 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |
23 |
GA 108 / OA 686 |
WF/Ge-Spitzendiode-Allglas |
31 |
Universaldiode bis 0,3 GHz |